Immagine www.blogsicilia.it

“Abbiamo appena approvato la prima decisione sugli aiuti di Stato” ai sensi dell’European Chips Act, che ha dato il via libera a un investimento di 730 milioni di euro da parte di una società franco-italiana per costruire un nuovo stabilimento in Sicilia. È il primo wafer di carburo di silicio su larga scala in Europa, È la base dei semiconduttoriLo ha affermato la presidente della Commissione europea Ursula von der Leyen nel suo discorso al Vertice digitale di Tallinn.

Supporto STMicroelectronics

La Commissione Europea ha approvato una misura di aiuto di 292,5 milioni di euro fornita dall’Italia attraverso il Piano di recupero e resilienza per conto di STMicroelectronics per costruire un impianto della filiera dei semiconduttori a Catania secondo le norme dell’UE sugli aiuti di Stato.

“Questa azione, in linea con le ambizioni stabilite nella comunicazione sul regolamento sui chip per l’Europa, rafforzerà la sicurezza dell’approvvigionamento, la resilienza e il dominio digitale dell’Europa nelle tecnologie dei semiconduttori e contribuirà a realizzare le transizioni digitali e verdi”, sostiene. Commissione.

L’aiuto assumerà la forma di una sovvenzione diretta di 292,5 milioni di euro a sostegno di un investimento di 730 milioni di euro da parte di STMicroelectronics per costruire un impianto di wafer al carburo di silicio (SiC) a Catania. Il carburo di silicio è un materiale complesso utilizzato nella produzione di wafer che funge da base per microchip specializzati utilizzati in dispositivi ad alte prestazioni come veicoli elettrici, stazioni di ricarica rapida, fonti di energia rinnovabile e altre applicazioni industriali.

opera

Il progetto, che dovrebbe essere completato nel 2026, creerà la prima linea di produzione integrata su scala industriale per wafer epitassiali di carburo di silicio in Europa. Integra l’intera catena del valore del substrato di carburo di silicio in un’unica unità di produzione, ovvero dalla produzione di materie prime (polvere di SiC) alla produzione di wafer. I wafer di carburo di silicio sono pronti per l’uso futuro dopo un’ulteriore lavorazione in fabbrica, dove viene applicato uno speciale strato epitassiale ai wafer di SiC, che ne aumenta le capacità tecnologiche (“epiwafer su carburo di silicio”).

Articoli Correlati

Visualizza le notizie ufficiali qui